SK海力士开发新存储级内存,美光SCM产品将在2022年推出

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7月16日消息,韩国DRAM和NAND制造商SK海力士(SK Hynix)正积极开发新一代存储级内存(Storage Class Memory,简称SCM),这是目前第五家SCM供应商,某些四家分别是Intel、美光、三星以及WD。早在五个月前,在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,SK海力士研究人员提交了《高性能,经济高效的2z nm双层交叉点存储器,通过自对准方案集成128 Gb SCM》的论文。现在有信息显示,SK海力士(SK Hynix)的SCM产品正位于积极研究阶段。

SCM是另另一个多多存储层,因为它是非易失性的,比普通闪存变慢,但带宽单位比DRAM慢。与闪存相比,它具有接近DRAM的带宽单位,统统我能否通过软件直接在字节级与存储器(加载,存储)语义进行寻址。SCM属于相变存储的并都有,是使用与硫属化物选取器装置集成的相变材料的双层(双层)交叉点存储器。

使用相变存储器时,玻璃状硫属化物材料将其內部条件从非晶态变为晶态,并在施加适量电量时再次返回。状况变化具有相关的电阻变化,统统我读取电阻水平揭示了电阻水平的二进制值。另另一个多多不同的电阻水平用于发信号通知二进制1和0。

使用自对准工艺制造单元。SK海力士(SK Hynix)论文中的图表显示了与英特尔3D XPoint技术的强烈这些 性:

SK海力士Xpoint自对准工艺集成方案图

上图中:(a)电池堆材料沉积; (b)在自对准WL(字线)图案化时候; (c)ILD(层间电介质)沉积,CMP(化学机械抛光)和BL(位线)沉积; (d)自对准BL图案化TE,ME和BE是顶部,上边和基部电极。

Intel XPoint 工艺集成方案图

SK海力士该研究设备在16Mb测试阵列中的读取延迟<5000 ns,与英特尔的3D XPoint 3500ns读取延迟相当。根据SK海力士研究人员的说法,你你这些 延迟使该技术适用于由16组单元组成的128Gb存储级存储芯片。

SK海力士128Gb XPoint模具纸质平面图

目前市场中将会有五家SCM供应商:

Intel Optane -- 3D XPoint技术

Micron -- QuantX 3D XPoint于2016年夏季亮相,将于今年晚些时候推出

三星 -- Z-NAND

SK海力士即将推出的3D XPoint(硫属化物)技术

Western Digital的ReRAM(电阻式RAM)技术,在Sandisk下开发。

这五家供应商中,Intel无疑是商用步伐最快的供应商,其Optane产品将会在消费级和企业级市场中得到商用。三星的Z-Nand步伐统统我慢,三星的Z-SSD系列使用第四代V-NAND,也统统我64层堆栈的V-NAND闪存,不过你你这些 闪存跟普通NAND都有不同,三星用了Z-NAND的新名字命名,它的特征介于DRAM内存和NAND闪存之间,性能比NAND闪存更强,但比DRAM又有非易失性的特点,听上去就跟Intel的3D XPoint闪存很这些 。据悉,美光的SCM产品将会会在2022年推出,SK海力士和Western Digital的ReRAM依然位于研发阶段。

文章来源:大数据在线